INFINEON IR2127PBF 功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, DIP-8
MOSFET 和 IGBT 驱动器,高侧,
Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧配置。
### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
得捷:
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
立创商城:
低边 高边 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
欧时:
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贸泽:
门驱动器 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT
e络盟:
MOSFET驱动器, 高低压侧, 10V-20V电源, 500 mA和125ohm输出, DIP-8
艾睿:
Driver 600V 0.5A 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.5A 1-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin PDIP
Chip1Stop:
Driver 600V 0.5A 1-OUT High Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
TME:
Driver; current sense, high-side switch; -420÷200mA; 1W; DIP8
Verical:
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side 8-Pin PDIP Tube
Newark:
# INFINEON IR2127PBF IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, DIP-8
电源电压DC 10.0V min
上升/下降时间 80ns, 40ns
输出接口数 1
输出电压 12.20 V
输出电流 200 mA
通道数 1
针脚数 8
耗散功率 1 W
静态电流 120 µA
上升时间 130 ns
下降时间 65 ns
下降时间Max 65 ns
上升时间Max 130 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1000 mW
电源电压 12V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 DIP-8
长度 10.92 mm
宽度 7.11 mm
高度 5.33 mm
封装 DIP-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IR2127PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IR2127 英飞凌 | 功能相似 | IR2127PBF和IR2127的区别 |