2SB1189-R

2SB1189-R PNP三极管 -80V -700mA/-0.7A 100MHz 120~390 -400mV/-0.4V SOT-89/MPT marking/标记 BDR 高击穿电压

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -700mA/-0.7A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor Medium power Transistor Features 1 High breakdown voltage 2 Complements the 2SD1767 描述与应用| PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点 1）高的击穿电压 2）补充2SD1767