NVMFS6H801NT1G概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0023 ohm, 10 V, 4 V
表面贴装型 N 通道 80 V 23A（Ta），157A（Tc） 3.8W（Ta），166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
欧时:
TRENCH 8 80V NFET
得捷:
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
立创商城:
NVMFS6H801NT1G
贸泽:
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0023 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 5-Pin4+Tab SO-FL T/R
NVMFS6H801NT1G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 5
漏源极电阻 0.0023 Ω
耗散功率 166 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 74 ns
输入电容Ciss 4120pF @40VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3800 mW
封装参数
引脚数 5
封装 SO-8FL
外形尺寸
封装 SO-8FL
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Switching power supplies, 48V systems, Power switches High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
在线购买NVMFS6H801NT1G
型号： NVMFS6H801NT1G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0023 ohm, 10 V, 4 V