INFINEON IRF7779L2TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 150 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V 新
表面贴装型 N 通道 375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
得捷:
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
欧时:
Infineon MOSFET
立创商城:
N沟道 150V 375A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 150 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 67A; 125W; DirectFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 67A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Newark:
# INFINEON IRF7779L2TRPBF MOSFET, N-CH, 150V, 67A, DIRECTFET L8
DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8
额定功率 125 W
针脚数 15
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 4 V
输入电容 6660 pF
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 67A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 6660pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Ta, 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 15
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Primary Side MOSFETs, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Operated Drive, Load Switch High Side
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRF7779L2TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7759L2TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF7779L2TRPBF和IRF7759L2TRPBF的区别 |
AUIRF7759L2TR 英飞凌 | 类似代替 | IRF7779L2TRPBF和AUIRF7759L2TR的区别 |
IRF7749L2TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF7779L2TRPBF和IRF7749L2TRPBF的区别 |