IRF6674TRPBF

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IRF6674TRPBF概述

INFINEON  IRF6674TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V 新

SP001564538


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Infineon MOSFET IRF6674TRPBF


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N沟道 60V 13.4A


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MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET


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# INFINEON  IRF6674TRPBF  MOSFET, N-CH, 60V, 67A, DIRECTFET MZ


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IRF6674TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 89 W

通道数 1

针脚数 7

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 89 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 13.4A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

下降时间 8.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 3.6W Ta, 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 Direct-FET

外形尺寸

长度 6.35 mm

宽度 5.05 mm

高度 0.7 mm

封装 Direct-FET

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Isolated Primary Side MOSFETs, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Operated Drive, Load Switch High Side

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF6674TRPBF
型号: IRF6674TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRF6674TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V 新
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