INFINEON IRF6674TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V 新
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Infineon MOSFET IRF6674TRPBF
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N沟道 60V 13.4A
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MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 67A; 89W; DirectFET
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Newark:
# INFINEON IRF6674TRPBF MOSFET, N-CH, 60V, 67A, DIRECTFET MZ
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
额定功率 89 W
通道数 1
针脚数 7
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 89 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 13.4A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1350pF @25VVds
下降时间 8.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 3.6W Ta, 89W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Primary Side MOSFETs, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Operated Drive, Load Switch High Side
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRF6674TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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