PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
通用 PNP ，超过 1A，
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 300 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.00 A
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 1.18 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 900
额定功率Max 535 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NSS30201MR6T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NSVT489AMT1G 安森美 | 完全替代 | NSS30201MR6T1G和NSVT489AMT1G的区别 |
NST489AMT1G 安森美 | 类似代替 | NSS30201MR6T1G和NST489AMT1G的区别 |
SNSS30201MR6T1G 安森美 | 类似代替 | NSS30201MR6T1G和SNSS30201MR6T1G的区别 |