BLF2022-120

BLF2022-120中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 65 V

连续漏极电流Ids 18A

封装参数

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

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型号: BLF2022-120
制造商: NXP 恩智浦
描述:超高频推挽功率LDMOS晶体管 UHF push-pull power LDMOS transistor

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