2SB1030

2SB1030中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

封装 NS-B1

外形尺寸

封装 NS-B1

其他

产品生命周期 Unknown

数据手册

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型号: 2SB1030
制造商: Panasonic 松下
描述:PNP硅外延平面型(低频放大) Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplification
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