2SK1078

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2SK1078概述

2SK1078 N沟道MOSFET 60V 800mA/0.8A SOT-89/PW-Mini marking/标记 Z3

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 800mA/0.8A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.75Ω/Ohm @400mA,4V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Features Field Effect transistor Silicon N Channel MOS Type High speed,High Current DC-DC Converter Relay Drive and Motor Drive Applications 描述与应用| 特性 场效应晶体管 硅N沟道MOS型 高速,高电流DC-DC转换器 继电器驱动器和电机驱动应用

2SK1078中文资料参数规格
封装参数

封装 PW-MINI

外形尺寸

封装 PW-MINI

其他

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V

最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 20V

最大漏极电流Id Drain Current 800mA/0.8A

源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.75Ω/Ohm @400mA,4V

开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.8-2V

耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W

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数据手册

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型号: 2SK1078
制造商: Toshiba 东芝
描述:2SK1078 N沟道MOSFET 60V 800mA/0.8A SOT-89/PW-Mini marking/标记 Z3
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