2SK1078 N沟道MOSFET 60V 800mA/0.8A SOT-89/PW-Mini marking/标记 Z3
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 800mA/0.8A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.75Ω/Ohm @400mA,4V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Features Field Effect transistor Silicon N Channel MOS Type High speed,High Current DC-DC Converter Relay Drive and Motor Drive Applications 描述与应用| 特性 场效应晶体管 硅N沟道MOS型 高速,高电流DC-DC转换器 继电器驱动器和电机驱动应用
封装 PW-MINI
封装 PW-MINI
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 800mA/0.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.75Ω/Ohm @400mA,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.8-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
规格书PDF __
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
2SK1078 Toshiba 东芝 | 当前型号 | 当前型号 |
2SK2615 东芝 | 功能相似 | 2SK1078和2SK2615的区别 |
2SK1717 东芝 | 功能相似 | 2SK1078和2SK1717的区别 |
SK26 东芝 | 功能相似 | 2SK1078和SK26的区别 |