INFINEON IRLR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
N 通道功率 MOSFET,55V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR024NTRPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
得捷:
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
立创商城:
N沟道 55V 17A
贸泽:
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON IRLR024NTRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
儒卓力:
**N-CH 55V 17A 65mOhm TO252 **
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
额定功率 38 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 N-CH
耗散功率 45 W
阈值电压 2 V
输入电容 480 pF
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 74 ns
输入电容Ciss 480pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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