IRLR024NTRPBF

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IRLR024NTRPBF概述

INFINEON  IRLR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR024NTRPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK


立创商城:
N沟道 55V 17A


贸泽:
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  IRLR024NTRPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V


儒卓力:
**N-CH 55V 17A 65mOhm TO252 **


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK


IRLR024NTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 38 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.065 Ω

极性 N-CH

耗散功率 45 W

阈值电压 2 V

输入电容 480 pF

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 74 ns

输入电容Ciss 480pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

IRLR024NTRPBF引脚图与封装图
IRLR024NTRPBF引脚图
IRLR024NTRPBF封装图
IRLR024NTRPBF封装焊盘图
在线购买IRLR024NTRPBF
型号: IRLR024NTRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRLR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
替代型号IRLR024NTRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRLR024NTRPBF

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完全替代

IRLR024NTRPBF和AUIRLR024NTRL的区别

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完全替代

IRLR024NTRPBF和AUIRLR024NTRR的区别

IRLR024NPBF

英飞凌

类似代替

IRLR024NTRPBF和IRLR024NPBF的区别

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