N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET,55V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
欧时:
### N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。![http://china.rs-online.com/largeimages/LB1POLAR-21.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LB1POLAR-21.gif ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
立创商城:
IRLU024NPBF 3000/管
贸泽:
MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 0.065Ohm; ID 17A; I-Pak TO-251AA; PD 45W
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin3+Tab IPAK
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Newark:
# INFINEON IRLU024NPBF MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 55 V, 65 mohm, 10 V, 2 V
儒卓力:
**N-CH 55V 17A 65mOhm TO251 **
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
额定功率 38 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 N-CH
耗散功率 46 W
阈值电压 2 V
输入电容 480 pF
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 74 ns
输入电容Ciss 480pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.39 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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