ON SEMICONDUCTOR NTF3055-100T1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 V
N 通道功率 MOSFET,60V,
### MOSFET ,ON Semiconductor
立创商城:
NTF3055-100T1G
得捷:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTF3055-100T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR NTF3055-100T1G. 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 68VDC; RDSON 88 Milliohms; ID 3A; SOT-223 TO-261; -55deg
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 2.1W; SOT223
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NTF3055-100T1G MOSFET Transistor, N Channel, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
3.0A,60V功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
额定电压DC 60.0 V
额定电流 3.00 A
针脚数 4
漏源极电阻 0.088 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 3 V
输入电容 455 pF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 68 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A, 3.00 mA
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 455pF @25VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电机驱动与控制, 电源管理, 工业, Motor Drive & Control, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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NTF3055-100T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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