NTF3055-100T1G

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NTF3055-100T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  NTF3055-100T1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 V

N 通道功率 MOSFET,60V,

### MOSFET ,ON Semiconductor


立创商城:
NTF3055-100T1G


得捷:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTF3055-100T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  NTF3055-100T1G.  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 68VDC; RDSON 88 Milliohms; ID 3A; SOT-223 TO-261; -55deg


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 2.1W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NTF3055-100T1G  MOSFET Transistor, N Channel, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
3.0A,60V功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223


NTF3055-100T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 3.00 A

针脚数 4

漏源极电阻 0.088 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.1 W

阈值电压 3 V

输入电容 455 pF

栅电荷 22.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 68 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A, 3.00 mA

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 455pF @25VVds

额定功率Max 1.3 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电机驱动与控制, 电源管理, 工业, Motor Drive & Control, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

NTF3055-100T1G引脚图与封装图
NTF3055-100T1G引脚图
NTF3055-100T1G封装图
NTF3055-100T1G封装焊盘图
在线购买NTF3055-100T1G
型号: NTF3055-100T1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTF3055-100T1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 V
替代型号NTF3055-100T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NTF3055-100T1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

NVF3055L108T1G

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