NJD2873T4G参数规格_中文资料_数据手册PDF

NJD2873T4G概述

ON SEMICONDUCTOR NJD2873T4G 单晶体管双极, NPN, 50 V, 65 MHz, 1.68 W, 2 A, 40 hFE

NPN 功率，

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

NJD2873T4G中文资料参数规格

技术参数

频率 65 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 2.00 A

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 1.68 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V

额定功率Max 1.68 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1680 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

NJD2873T4G引脚图与封装图

在线购买NJD2873T4G

型号： NJD2873T4G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR NJD2873T4G 单晶体管双极, NPN, 50 V, 65 MHz, 1.68 W, 2 A, 40 hFE

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替代型号NJD2873T4G

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