ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V
N 通道功率 MOSFET，60V，
立创商城:
N沟道 60V 12A 单 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V，12A，104mΩ
得捷:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD3055L104T4G, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET 60V 12A N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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NTD3055L104T4G N-channel MOSFET Transistor; 12 A; 60 V; 3-Pin DPAK
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MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V
力源芯城:
12A,60V功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 12.0 A
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.089 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 48 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±15.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 104 ns
输入电容Ciss 440pF @25VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 40.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Industrial, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTD3055L104T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTD18N06LT4G 安森美 | 类似代替 | NTD3055L104T4G和NTD18N06LT4G的区别 |
NTD3055L104-1G 安森美 | 类似代替 | NTD3055L104T4G和NTD3055L104-1G的区别 |
NTD3055L104G 安森美 | 类似代替 | NTD3055L104T4G和NTD3055L104G的区别 |