IRF9Z34NPBF

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IRF9Z34NPBF概述

P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V,

Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRF9Z34NPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 68 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 56 W

输入电容 620 pF

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 620pF @25VVds

额定功率Max 68 W

下降时间 41 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 4.69 mm

高度 8.77 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

IRF9Z34NPBF引脚图与封装图
IRF9Z34NPBF引脚图
IRF9Z34NPBF封装图
IRF9Z34NPBF封装焊盘图
在线购买IRF9Z34NPBF
型号: IRF9Z34NPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:P 通道功率 MOSFET 超过 8A,Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRF9Z34NPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRF9Z34NPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

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