IRFZ34NPBF

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IRFZ34NPBF概述

INFINEON  IRFZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB


立创商城:
N沟道 55V 29A


欧时:
### N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


贸泽:
MOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin3+Tab TO-220AB


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# INFINEON  IRFZ34NPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 55V 18A 40mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB


IRFZ34NPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 56 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.04 Ω

极性 N-CH

耗散功率 68 W

阈值电压 4 V

输入电容 700 pF

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 29A

上升时间 49 ns

反向恢复时间 57 ns

正向电压Max 1.6 V

输入电容Ciss 700pF @25VVds

额定功率Max 68 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.77 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFZ34NPBF
型号: IRFZ34NPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
替代型号IRFZ34NPBF
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