INFINEON IRFZ34NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET,55V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
立创商城:
N沟道 55V 29A
欧时:
### N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
贸泽:
MOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin3+Tab TO-220AB
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON IRFZ34NPBF MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 55V 18A 40mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
额定功率 56 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 N-CH
耗散功率 68 W
阈值电压 4 V
输入电容 700 pF
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 29A
上升时间 49 ns
反向恢复时间 57 ns
正向电压Max 1.6 V
输入电容Ciss 700pF @25VVds
额定功率Max 68 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 175℃
耗散功率Max 68W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.54 mm
宽度 4.4 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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