PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
通用 PNP ,超过 1A,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 30V 2A TSOP-6
立创商城:
NST489AMT1G
欧时:
### 通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1180mW 6-Pin TSOP T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 2A 6-Pin TSOP T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1180mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NST489AMT1G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 30 V, 200 MHz, 535 mW, 2 A, 900 hFE
频率 300 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.00 A
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 535 mW
集电极击穿电压 50.0 V
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 5V
额定功率Max 535 mW
直流电流增益hFE 900
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1180 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-6
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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NST489AMT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NSS30201MR6T1G 安森美 | 类似代替 | NST489AMT1G和NSS30201MR6T1G的区别 |
NSVT489AMT1G 安森美 | 类似代替 | NST489AMT1G和NSVT489AMT1G的区别 |
NST489AMT1 安森美 | 类似代替 | NST489AMT1G和NST489AMT1的区别 |