FDV301N

FD V301N 系列 N沟道 25 V 4 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

得捷:
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23

立创商城:
N沟道 25V 220mA N 沟道，数字 FET，25V，0.22A，4Ω

欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDV301N, 500 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 3-Pin SOT-23

Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV