ON SEMICONDUCTOR NSS60201LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 540 mW, 2 A, 100 hFE
The is a 4A NPN Bipolar Transistor designed for use in low voltage and high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCEsat and high current gain capability.
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- ESD robust
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- High current gain
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- High cut-off frequency
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- Low profile package
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- Linear gain Beta
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- Improved circuit efficiency
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- Decreased battery charge time
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- Reduce component count
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- High frequency switching
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- Smaller portable product
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- No distortion
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- AECQ101 qualified and PPAP capable
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 540 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 150 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 350
额定功率Max 460 mW
直流电流增益hFE 160
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
制造应用 Power Management, Industrial, 信号处理, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, Motor Drive & Control, Lighting, 照明, 工业, 便携式器材, 车用, 电机驱动与控制, Signal Processing, Automotive, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NSS60201LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NSV60201LT1G 安森美 | 类似代替 | NSS60201LT1G和NSV60201LT1G的区别 |
FSB619 安森美 | 类似代替 | NSS60201LT1G和FSB619的区别 |
FMMT493ATA 美台 | 功能相似 | NSS60201LT1G和FMMT493ATA的区别 |