双极晶体管 - 预偏置 SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
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TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
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双 PNP 双极数字晶体管 BRT
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
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额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.55 mm
封装 SOT-563-6
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NSBA143ZDXV6T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NSBC123JPDXV6T1G 安森美 | 类似代替 | NSBA143ZDXV6T1G和NSBC123JPDXV6T1G的区别 |
NSBC123JPDXV6T5G 安森美 | 类似代替 | NSBA143ZDXV6T1G和NSBC123JPDXV6T5G的区别 |
PEMB13,115 恩智浦 | 功能相似 | NSBA143ZDXV6T1G和PEMB13,115的区别 |