ON SEMICONDUCTOR NTD20N03L27T4G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V VBRDSS
N 通道功率 MOSFET，30V，
### MOSFET ，ON Semiconductor
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD20N03L27T4G, 20 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
NTD20N03L27T4G
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
NTD20N03L27T4G N-channel MOSFET Transistor; 20 A; 30 V; 3-Pin DPAK
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR NTD20N03L27T4G MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 20 V, 0.023 ohm, 5 V, 1.6 V
力源芯城:
20A,30V功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 20.0 A
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 137 ns
输入电容Ciss 1260pF @25VVds
额定功率Max 1.75 W
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75W Ta, 74W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTD20N03L27T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTD20N03L27-1G 安森美 | 类似代替 | NTD20N03L27T4G和NTD20N03L27-1G的区别 |
NTD20N03L27G 安森美 | 类似代替 | NTD20N03L27T4G和NTD20N03L27G的区别 |
NTD20N03L27T4 安森美 | 类似代替 | NTD20N03L27T4G和NTD20N03L27T4的区别 |