INFINEON IRFI4020H-117P 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.1 A, 200 V, 80 mohm, 10 V, 4.9 V
数字音频 MOSFET,
D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列,可简化高效 D 级放大器设计。
得捷:
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
立创商城:
2个N沟道 200V 9.1A
欧时:
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4020H-117P, 9.1 A, Vds=200 V, 5引脚 TO-220封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 9.1 A, 0.08 ohm, TO-220FP, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin5+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 9.1A 5-Pin5+Tab TO-220 Full-Pack
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 9.1A 5-Pin5+Tab TO-220 Full-Pack
TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 200V; 9.1A; 21W; TO220FP-5
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin5+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# INFINEON IRFI4020H-117P MOSFET Transistor, N Channel, 9.1 A, 200 V, 80 mohm, 10 V, 4.9 V
Win Source:
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
额定功率 21 W
针脚数 5
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 21 W
阈值电压 4.9 V
输入电容 1240 pF
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 9.1A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1240pF @25VVds
额定功率Max 21 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 21000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 5
封装 TO-220-5
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-5
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 音频, Audio, 电源管理, Class D Audio
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17