功率MOSFET 14安培， 25伏特N沟道DPAK Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N-Channel DPAK
通孔 N 通道 2.5A（Ta） 1.04W（Ta），20.8W（Tc） I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
额定电压DC 25.0 V
额定电流 14.0 A
漏源极电阻 70.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.04W Ta, 20.8W Tc
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 27.0 ns
输入电容Ciss 115pF @20VVds
耗散功率Max 1.04W Ta, 20.8W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTD14N03R-1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTD14N03RG 安森美 | 完全替代 | NTD14N03R-1G和NTD14N03RG的区别 |
NTD14N03R-001 安森美 | 完全替代 | NTD14N03R-1G和NTD14N03R-001的区别 |