PBSS4160U,115

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PBSS4160U,115概述

Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装

低饱和电压 NPN ,

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。


得捷:
TRANS NPN 60V 0.75A SOT323


立创商城:
PBSS4160U,115


欧时:
Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT LO VCESATBISSTRANS


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 220 MHz, 250 mW, 1 A, 500 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 415mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Win Source:
TRANS NPN 60V 0.75A SOT323


PBSS4160U,115中文资料参数规格
技术参数

频率 220 MHz

额定功率 0.25 W

针脚数 3

耗散功率 415 mW

增益频宽积 220 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V

额定功率Max 415 mW

直流电流增益hFE 500

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 415 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 信号处理, 车用, 电机驱动与控制, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PBSS4160U,115
型号: PBSS4160U,115
制造商: Nexperia 安世
描述:Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装
替代型号PBSS4160U,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS4160U,115

Nexperia 安世

当前型号

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