IRF7862TRPBF

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IRF7862TRPBF概述

N 沟道 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8

Benefits:

.
RoHS Compliant

欧时:
MOSFET HEXFET N-Ch 30V 21A SOIC8


得捷:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO


立创商城:
N沟道 30V 21A


贸泽:
MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 0.003 ohm, 10 V, 2.35 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
MOSFET; N Ch.; 30V; 21A; 3.7 MOHM; 30 NC QG; SO-8; Pb-Free


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R


富昌:
单通道 N 沟道 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# INFINEON  IRF7862TRPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 3.7 mohm, 20 V, 2.35 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC


IRF7862TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.5 W

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 4.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.35 V

输入电容 4090 pF

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 4090pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Load Switch Low Side, Load Switch High Side, Battery Protection, 计算机和计算机周边, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF7862TRPBF
型号: IRF7862TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:N 沟道 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
替代型号IRF7862TRPBF
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