N 沟道 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
Benefits:
欧时:
MOSFET HEXFET N-Ch 30V 21A SOIC8
得捷:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
立创商城:
N沟道 30V 21A
贸泽:
MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 0.003 ohm, 10 V, 2.35 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
Allied Electronics:
MOSFET; N Ch.; 30V; 21A; 3.7 MOHM; 30 NC QG; SO-8; Pb-Free
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
富昌:
单通道 N 沟道 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# INFINEON IRF7862TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 3.7 mohm, 20 V, 2.35 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
额定功率 2.5 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 4.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2.35 V
输入电容 4090 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 4090pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Load Switch Low Side, Load Switch High Side, Battery Protection, 计算机和计算机周边, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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