2SB1679

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2SB1679概述

2SB1679 PNP三极管 -15V -1A 130MHz 130~350 -1.2V SOT-323/SC-70 marking/标记 3V 低频放大

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| -10V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 130MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 130~350 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.2V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor For low-frequency amplification Features • Large current capacitance • Low collector to emitter saturation voltage • Small type package, allowing downsizing and thinning of the equipment 描述与应用| PNP硅外延平面晶体管 对于低频放大 特点 •大电流容量 •低集电极到发射极饱和电压 •小型封装,允许裁员和变薄的设备

2SB1679中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 10 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

封装 SMini3-G1

外形尺寸

封装 SMini3-G1

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SB1679
型号: 2SB1679
制造商: Panasonic 松下
描述:2SB1679 PNP三极管 -15V -1A 130MHz 130~350 -1.2V SOT-323/SC-70 marking/标记 3V 低频放大

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