PBSS5480X,135

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PBSS5480X,135概述

NXP PBSS5480X,135 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:80, 125 MHz, 4引脚 UPAK封装

低饱和电压 PNP ,

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。


欧时:
NXP PBSS5480X,135 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:80, 125 MHz, 4引脚 UPAK封装


得捷:
TRANS PNP 80V 4A SOT89


立创商城:
PNP 80V 4A


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS BISS TAPE-13


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 125 MHz, 550 mW, -4 A, 300 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 4A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 4-Pin 3+Tab UPAK T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 4A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


PBSS5480X,135中文资料参数规格
技术参数

频率 125 MHz

额定功率 2.5 W

针脚数 3

耗散功率 2500 mW

增益频宽积 125 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 150 @2A, 2V

最大电流放大倍数hFE 200 @0.5A, 2V

额定功率Max 1.6 W

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 成像, 工业, 信号处理, 电机驱动与控制, 视频和目视, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PBSS5480X,135
型号: PBSS5480X,135
制造商: Nexperia 安世
描述:NXP PBSS5480X,135 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:80, 125 MHz, 4引脚 UPAK封装
替代型号PBSS5480X,135
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS5480X,135

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