NSBC144EDXV6T5 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA HEF=80~140 R1=R2=47KΩ 500mW/0.5W SOT-563 标记7C 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 140 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 耗散功率Pc Power Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Features •Dual Bias Resistor Transistors •NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network •Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space •Reduces Component Count •Lead−Free Solder Plating •These are Pb−Free Devices 描述与应用 | 特点 •双偏置电阻 •NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •无铅焊料电镀 •这些都是Pb-Free设备
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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NSBC144EDXV6T5 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NSBC144EDXV6T1G 安森美 | 完全替代 | NSBC144EDXV6T5和NSBC144EDXV6T1G的区别 |
NSBC144EDXV6T5G 安森美 | 完全替代 | NSBC144EDXV6T5和NSBC144EDXV6T5G的区别 |
NSBC144EDXV6T1 安森美 | 完全替代 | NSBC144EDXV6T5和NSBC144EDXV6T1的区别 |