2SK3664

2SK3664 N沟道MOSFET 20V 500mA/0.5A SOT-523/SC-75 marking/标记 G1 低导通电阻

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.38Ω/Ohm @300mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING Features N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING 2.5 V drive available Low on-state resistance RDSon1 = 0.57 Ω MAX VGS = 4.5 V, ID = 0.30 A RDSon2 = 0.60 Ω MAXVGS = 4.0 V, ID = 0.30 A RDSon3 = 0.88 Ω MAXVGS = 2.5 V, ID = 0.15 A 描述与应用| MOS场效应晶体管 N-沟道MOS场效应晶体管的开关 特性 N沟道MOS场效应晶体管 用于开关 2.5 V驱动器可用 低通态电阻 的RDS（on）= 0.57ΩMAX（VGS= 4.5 V，ID=0.30 A） RDS（on）=0.60Ω最大（VGS=4.0 V，ID=0.30） RDS（on）3= 0.88ΩMAX（VGS= 2.5V，ID=0.15 A）