FDS3680参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS3680概述

MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC

N-Channel 100V 5.2A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC

得捷:
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-Pin SOIC N T/R

FDS3680中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 8.5 ns

输入电容Ciss 1735pF @50VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： FDS3680

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC