NTB75N03-06T4概述
功率MOSFET 75安培， 30伏特N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK
表面贴装型 N 通道 30 V 75A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
NTB75N03-06T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 75.0 A
漏源极电阻 5.30 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 125W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 5635pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
在线购买NTB75N03-06T4
型号： NTB75N03-06T4
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：功率MOSFET 75安培， 30伏特N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK