BC859B

BC859B概述

BC859B PNP三极管 -30V -100mA/-0.1A 100MHz 220~475 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 4B 低噪声

General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available


BC859B中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO −30V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO −30V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC −100mA/-0.1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 100MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 220~475

管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage -250mV/-0.25V

耗散功率PcPoWer Dissipation 225mW/0.225W

规格书PDF __

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: BC859B
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:BC859B PNP三极管 -30V -100mA/-0.1A 100MHz 220~475 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 4B 低噪声
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