PHE13003A,412参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHE13003A,412概述

PHE13003A,412 袋装

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 1A 2.1W Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 400V 1A TO92-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

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Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

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PHE13003A,412

PHE13003A,412中文资料参数规格

技术参数

额定功率 2.1 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 10 @400mA, 5V

额定功率Max 2.1 W

直流电流增益hFE 7

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHE13003A,412

型号： PHE13003A,412

制造商： We En Semiconductor

描述：PHE13003A,412 袋装

替代型号PHE13003A,412