BCP56-16

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BCP56-16概述

BCP56-16 NPN三极管 100V 1A 100MHz 100~250 500mV/0.5V SOT-223 marking/标记 BH-16

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.5W Description & Applications| MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT Features • Pb−Free Package is Available • High Current: 1.0 Amp • The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die • Available in 12 mm Tape and Reel Use BCP56T1 to order the 7 inch/1000 unit reel Use BCP56T3 to order the 13 inch/4000 unit reel • PNP Complement is BCP53T1 描述与应用| 中功率NPN硅高电流晶体管 表面贴装 特点 •高电流:1.0安培 SOT-223封装,可以使用波或回流焊接。所形成的线索在焊接热应力吸收,消除模具损坏的可能性 •可在12毫米编带和卷轴 使用BCP56T1到责令7 inch/1000的单位卷轴 使用BCP56T3责令13 inch/4000单位卷轴 •PNP补语是BCP53T1

BCP56-16中文资料参数规格
封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO 100V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO 80V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC 1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 100MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 100~250

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 500mV/0.5V

耗散功率PcPower Dissipation 1.5W

规格书PDF __

数据手册

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型号: BCP56-16
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:BCP56-16 NPN三极管 100V 1A 100MHz 100~250 500mV/0.5V SOT-223 marking/标记 BH-16
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