HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
立创商城:
N沟道 150V 43A
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3415STRLPBF, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
额定功率 200 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.042 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
阈值电压 4 V
输入电容 2400 pF
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 43A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
下降时间 69 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRF3415STRLPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF3415SPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF3415STRLPBF和IRF3415SPBF的区别 |
IRFS41N15DPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF3415STRLPBF和IRFS41N15DPBF的区别 |
IRF3415S 英飞凌 | 类似代替 | IRF3415STRLPBF和IRF3415S的区别 |