INFINEON IRFP3415PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 200 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.042 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 4 V
输入电容 2400 pF
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 43A
上升时间 55 ns
热阻 0.75℃/W RθJC
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
下降时间 69 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Commercial, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFP3415PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFP4321PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFP3415PBF和IRFP4321PBF的区别 |