IRF3415SPBF

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IRF3415SPBF概述

INFINEON  IRF3415SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK


立创商城:
N沟道 150V 43A


欧时:
### N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


贸泽:
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 150V; RDSON 0.042Ohm; ID 43A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-20V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin2+Tab D2PAK


富昌:
单 N 沟道 150 V 200 W 200 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin2+Tab D2PAK


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 3.8W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Newark:
# INFINEON  IRF3415SPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 150V 43A 42mOhm TO263 **


IRF3415SPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 3.8 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

输入电容 2400pF @25V

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 43A

上升时间 55 ns

热阻 0.75℃/W RθJC

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

下降时间 69 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 6.22 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF3415SPBF
型号: IRF3415SPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRF3415SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V
替代型号IRF3415SPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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