HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET,55V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
立创商城:
N沟道 55V 44A
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
贸泽:
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 69W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON IRFR1205TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 44 A, 55 V, 27 mohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 55V 37A 27mOhm TO252 **
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
额定功率 69 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 N-CH
耗散功率 107 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 44A
上升时间 69 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 107 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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