2SC2462 NPN三极管 50V 100mA/0.1A 250~500 200mV/0.2V SOT-23/SC-59/MPAK marking/标记 LD 低频放大器
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| NPN Silicon epitaxial Transistors Application Low frequency amplifier 描述与应用| NPN硅外延晶体管 应用 低频放大器
Win Source:
Silicon NPN Epitaxial
封装 SOT-23
封装 SOT-23
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO 50V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO 40V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC 100mA/0.1A
直流电流增益hFEDC Current GainhFE 250~500
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 200mV/0.2V
耗散功率PcPower Dissipation 150mW/0.15W
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型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SC2462 HITACHI 日立 | 当前型号 | 当前型号 |
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MUN5113DW1T1 摩托罗拉 | 功能相似 | 2SC2462和MUN5113DW1T1的区别 |