


2SC3052 NPN三极管 50V 200mA/0.2A 200MHz 250~500 300mV/0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 ZF 高频放大器
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 200MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 150~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | NPN Silicon epitaxial Transistors For high frequency amplify applications Features Low collector to emitter saturation voltage Excellent linearity of DC forward current gain super mini package for easy mounting. 描述与应用 | NPN硅外延 对于高频放大的应用 特点 集电极到发射极饱和电压低 优秀的线性的直流正向电流增益 易于安装的超小型封装。
封装 SOT-23
封装 SOT-23
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO 50V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO 50V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC 200mA/0.2A
截止频率fTTranstion FrequencyfT 200MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE 250~500
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV/0.3V
耗散功率PcPower Dissipation 150mW/0.15W
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| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SC3052 Mitsubishi 三菱 | 当前型号 | 当前型号 |