HN1B01FU-Y PNP+NPN复合三极管 -50V/50V -150mA/150mA 120~400 SOT-363/US6 标记1AY 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V/50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -150mA/150mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 120MHz/150MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 120~400 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| -100mV/100mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 200mW Description & Applications| Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT Process Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process Q1: • High voltage and high current : VCEO = −50 V, IC = −150 mA max • High hFE : hFE = 120~400 • Excellent hFE linearity : hFE IC = −0.1 mA / hFE IC = −2 mA = 0.95 typ. Q2: • High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA max • High hFE : hFE = 120~400 • Excellent hFE linearity : hFE IC = 0.1 mA / hFE IC = 2 mA = 0.95 typ. • Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications 描述与应用| 特点 •晶体管的硅PNP外延型硅NPN外延型（PCT工艺）（PCT工艺） Q1： •高电压和高电流：VCEO=-50 V，IC= -150 mA（最大） •高HFE：HFE=120〜400 •优秀的HFE线性：HFE（IC= -0.1毫安）/ HFE（IC=-2毫安）=0.95（典型值） Q2： •高电压和高电流：VCEO=50 V，IC=150 mA（最大） •高HFE：HFE=120〜400 •优秀的HFE线性：HFE（IC= 0.1毫安）/ HFE（IC= 2毫安）=0.95（典型值） •音频频率通用放大器应用