HN1A01FE-Y,LF

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HN1A01FE-Y,LF概述

HN1A01FE-Y,LF 编带

* Small package Dual type * High voltage and high current : Vceo = -50V, Ic = -150mA max * High hFE: hFE = 120 to 400 * Excellent hFE linearity : hFE Ic = -0.1mA / hFE Ic = -2mA = 0.95 typ.


立创商城:
2个PNP 50V 150mA


得捷:
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT ES6 PLN


安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin ES Embossed T/R


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TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6


HN1A01FE-Y,LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

HN1A01FE-Y,LF引脚图与封装图
HN1A01FE-Y,LF引脚图
HN1A01FE-Y,LF封装图
HN1A01FE-Y,LF封装焊盘图
在线购买HN1A01FE-Y,LF
型号: HN1A01FE-Y,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:HN1A01FE-Y,LF 编带

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