IRFZ46NSTRLPBF

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IRFZ46NSTRLPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IR### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK


立创商城:
IRFZ46NSTRLPBF


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ46NSTRLPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK


IRFZ46NSTRLPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0165 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 53A

上升时间 76 ns

输入电容Ciss 1696pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

下降时间 57 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 107W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 4.69 mm

高度 10.48 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFZ46NSTRLPBF
型号: IRFZ46NSTRLPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRFZ46NSTRLPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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