HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2307ZTRLPBF, 53 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
IRFR2307ZTRLPBF
贸泽:
MOSFET MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 75 V, 0.0128 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 53A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 110W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定功率 110 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 16 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 53A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 2190pF @25VVds
下降时间 29 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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