IRF6668TRPBF

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IRF6668TRPBF概述

INFINEON  IRF6668TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V 新

表面贴装型 N 通道 55A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET™ MZ


得捷:
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ


欧时:
Infineon MOSFET IRF6668TRPBF


立创商城:
N沟道 80V 55A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R


Newark:
# INFINEON  IRF6668TRPBF  MOSFET, N-CH, 80V, 55A, DIRECTFET MZ


儒卓力:
**N-CH 80V 55A 15mOhm DiFET MZ **


Win Source:
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET


IRF6668TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 89 W

通道数 1

针脚数 7

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 89 W

阈值电压 4 V

输入电容 1320 pF

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 55A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 1320pF @25VVds

额定功率Max 2.8 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 Direct-FET

外形尺寸

长度 6.35 mm

宽度 5.05 mm

封装 Direct-FET

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Isolated Primary Side MOSFETs, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Load Switch High Side, Battery Operated Drive, Class D Audio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF6668TRPBF
型号: IRF6668TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRF6668TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V 新
替代型号IRF6668TRPBF
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