INFINEON IRF6668TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V 新
表面贴装型 N 通道 55A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET™ MZ
得捷:
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
欧时:
Infineon MOSFET IRF6668TRPBF
立创商城:
N沟道 80V 55A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Newark:
# INFINEON IRF6668TRPBF MOSFET, N-CH, 80V, 55A, DIRECTFET MZ
儒卓力:
**N-CH 80V 55A 15mOhm DiFET MZ **
Win Source:
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
额定功率 89 W
通道数 1
针脚数 7
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 89 W
阈值电压 4 V
输入电容 1320 pF
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 55A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 1320pF @25VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Primary Side MOSFETs, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Load Switch High Side, Battery Operated Drive, Class D Audio
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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