IRFR3607TRPBF

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IRFR3607TRPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


立创商城:
N沟道 75V 56A


得捷:
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


e络盟:
INFINEON  IRFR3607TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 75 V, 7.34 mohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  IRFR3607TRPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 56 A, 75 V, 7.34 mohm, 10 V, 2 V


儒卓力:
**N-CH 75V 80A 9mOhm TO252 **


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK


IRFR3607TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 140 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.00734 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

阈值电压 2 V

输入电容 3070 pF

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 3070pF @50VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 96 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 7.49 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Battery Operated Drive, Power Management

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRFR3607TRPBF
型号: IRFR3607TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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