IRFR3707ZTRPBF

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IRFR3707ZTRPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,30V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3707ZTRPBF, 56 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
N沟道 30V 56A


贸泽:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; 50W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK


IRFR3707ZTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 50 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 9.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 1.35V ~ 2.35V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 56A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1150pF @15VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 3.3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFR3707ZTRPBF
型号: IRFR3707ZTRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRFR3707ZTRPBF
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