INFINEON IRLR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 2 V
N 通道功率 MOSFET 100V,
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
立创商城:
N沟道 100V 10A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 0.185Ohm; ID 10A; D-Pak TO-252AA; PD 48W
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON IRLR120NTRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 2 V
儒卓力:
**N-CH 100V 11A 185mOhm TO252 **
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
额定功率 39 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.185 Ω
极性 N-CH
耗散功率 39 W
阈值电压 2 V
输入电容 440 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 440pF @25VVds
额定功率Max 48 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 48W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRLR120NTRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
AUIRLR120NTRR 英飞凌 | 完全替代 | IRLR120NTRPBF和AUIRLR120NTRR的区别 |
IRLR120NPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRLR120NTRPBF和IRLR120NPBF的区别 |
IRLR120NTRLPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRLR120NTRPBF和IRLR120NTRLPBF的区别 |