IRLR120NTRPBF

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IRLR120NTRPBF概述

INFINEON  IRLR120NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 2 V

N 通道功率 MOSFET 100V,

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


立创商城:
N沟道 100V 10A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 0.185Ohm; ID 10A; D-Pak TO-252AA; PD 48W


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  IRLR120NTRPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 2 V


儒卓力:
**N-CH 100V 11A 185mOhm TO252 **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK


IRLR120NTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 39 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.185 Ω

极性 N-CH

耗散功率 39 W

阈值电压 2 V

输入电容 440 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 440pF @25VVds

额定功率Max 48 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRLR120NTRPBF
型号: IRLR120NTRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRLR120NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 2 V
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