INFINEON IRFHM9331TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.01 ohm, -20 V, -1.8 V
P 通道功率 MOSFET 30V，
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 2.8 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.01 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1543pF @25VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 3X3-8
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.95 mm
封装 3X3-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Load Switch High Side, Battery Protection, Load Switch Low Side, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFHM9331TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFHM9331TR2PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFHM9331TRPBF和IRFHM9331TR2PBF的区别 |
SI7121DN-T1-GE3 威世 | 功能相似 | IRFHM9331TRPBF和SI7121DN-T1-GE3的区别 |