S34ML02G 系列 2 G位 256M x 8 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - VFBGA-63
闪存 - NAND 存储器 IC 2Gb（256M x 8） 并联 63-BGA（11x9）
得捷:
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA
e络盟:
闪存, 与非, SLC NAND, 2 Gbit, 256M x 8位, 并行, BGA, 63 引脚
艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 2G-bit 256M x 8 20ns 63-Pin BGA Tray
安富利:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M x 8bit 20ns 63-Pin BGA Tray
富昌:
S34ML02G 系列 2 G位 256M x 8 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - VFBGA-63
Chip1Stop:
SLC NAND
Verical:
SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 2G-bit 256M x 8 20ns 63-Pin BGA Tray
Newark:
MEMORY, FLASH, 2GBIT, 63BGA
电源电压DC 2.70V min
供电电流 30 mA
针脚数 63
位数 8
存取时间 25 ns
存取时间Max 20 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.3 V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 63
封装 BGA-63
封装 BGA-63
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, , 工业, 车用, 计算机和计算机周边, 通信与网络, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 3A991.b.1.a
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
S34ML02G100BHI000 Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
S34ML02G100BHI003 赛普拉斯 | 完全替代 | S34ML02G100BHI000和S34ML02G100BHI003的区别 |
MT29F2G08ABAEAH4-E:E 镁光 | 功能相似 | S34ML02G100BHI000和MT29F2G08ABAEAH4-E:E的区别 |